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Obwohl beide als „Abscheidung“ bezeichnet werden, unterscheiden sich PCD und CVD stark in ihren Funktionen.

2026-09-21

Hauptgründe:

PVD entfernt die Ausgangsmaterialien hauptsächlich auf physikalische Weise und transportiert sie auf die Wafer.
CVD ermöglicht es gasförmigen Vorstufen, chemische Reaktionen kontinuierlich an der Oberfläche durchzuführen.

Bei der Auswahl eines Verfahrens sind die wichtigsten Fragen zu prüfen, wie das Material an die Oberfläche gelangt, wo sich der Film bildet und welcher Mechanismus das Wachstum beendet.

Verfahren:

PVD: Materialien aus der festen Quelle zuerst extrahierenBei der Verdunstung werden Wärmequellen oder Elektronenstrahlen verwendet, um Materialien zu verdampfen; beim Sputtern werden Plasma-Ionen eingesetzt, um das Ziel zu bombardieren und Zielatome auszuschalten.Filmbildende Arten werden im Vakuum transportiert und kondensieren schließlich auf der Waferoberfläche.
CVD: Gase reagieren kontinuierlich, um Filme zu bilden, nachdem sie die Oberfläche erreicht haben.Vorläufer bewegen sich mit dem Gasstrom in die Nähe der Wafer, passieren die Grenzschicht, adsorbieren, zersetzen oder reagieren dann an der Oberfläche.während flüchtige Nebenprodukte erschöpft werden.

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