2026-07-31
"Siliciumnitrid-Keramik-Substrat"
Es handelt sich um ein kupferbeschichtetes keramisches Substrat, das auf einer dichten Siliziumnitrid (Si3N4) -Keramik basiert. Kupferfolie wird hauptsächlich über AMB (Active Metal Brazing) -Technologie an das keramische Substrat gebunden.
Mit hervorragender Bruchfestigkeit und Wärmeschlagfestigkeit, einem geeigneten Wärmeausdehnungskoeffizienten mit SiC-Chips, Hochspannungisolierung und moderater Wärmeleitfähigkeit,Es dient als Kernisolierungs- und Wärmediszipator für leistungsstarke Halbleitermodule, weit verbreitet in 800-Volt-EV-Wechselrichtern, Energiespeicherwandlern und Leistungselektronik für den Schienenverkehr.
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