Erschließung der Massenproduktion für Kupfer-/Diamant-Verbundwerkstoffe: Wie der 10-MPa-Ofen von Ruideer das Wärmemanagement neu definiert
Der Branchenengpass: Leistung vs. Skalierbarkeit
In den sich schnell entwickelnden Welten der 5G-Telekommunikation, der Hochleistungslaser und der Leistungselektronik für Elektrofahrzeuge ist das Wärmemanagement nicht mehr nur ein Detail – es ist der begrenzende Faktor.
Kupfer/Diamant-Verbundwerkstoffe (Cu/Diamant).haben sich als ultimative Lösung herausgestellt und bieten Wärmeleitfähigkeiten von600-900 W/m·K. Allerdings kämpfen Hersteller seit langem mit zwei kritischen Hindernissen:
- Die Herausforderung „Benetzbarkeit“:Um Kupfer in das nichtbenetzende Diamantgerüst zu zwingen, sind in der Regel teure Beschichtungen oder extreme Verarbeitungsbedingungen erforderlich.
- Die „Kosten“-Herausforderung:Das herkömmliche Vakuum-Heißpressen (VHP) ist auf kleine Chargen beschränkt, wodurch die Kosten pro Teil für eine kommerzielle Masseneinführung zu hoch sind.
Die Lösung: Ruideer RDE-5512-10MPa
Ruideer ist stolz, den erfolgreichen industriellen Einsatz unserer Technologie bekannt zu gebenRDE-5512-10MPa Gasdruck-Sinterofen. Dieses System wurde speziell für hochwertige Metallmatrix-Verbundwerkstoffe entwickelt und hat unseren Kunden die Möglichkeit gegeben, dies zu erreichenMassenproduktion im Tonnenmaßstabvon Cu/Diamant-Kühlkörpern mit fortschrittlicher Technologie„Konservenherstellung + Gasdruckinfiltration“Technologie.
Warum sich Top-Hersteller für den RDE-5512-10MPa entscheiden
1. Überwindung der Benetzbarkeit mit 100-Bar-Kraft
Während beim Standardsintern häufig Porosität zurückbleibt, bietet der RDE-5512 einen enormen Designdruck von100 bar (10 MPa). Beim Flüssigphaseninfiltrationsprozess (typischerweise etwa 1240 °C) fungiert der Ofen als riesige isostatische Presse. Es nutzt Hochdruck-Inertgas, um flüssiges Kupfer mechanisch in die nanoskaligen Hohlräume der Diamantmatrix zu drücken.
Nahezu theoretische Dichte und außergewöhnliche Hermetik, die eine gleichbleibende thermische Leistung auch ohne komplexe Vorbehandlungen der Diamantoberfläche gewährleisten.
2. Die „Goldene Größe“ für die Massenproduktion
Der RDE-5512 verzichtet auf die Größenbeschränkungen herkömmlicher Heißpressformen und verfügt über eine große effektive Heißzone500 mm (B) × 500 mm (H) × 1200 mm (L). Mit einer Tragfähigkeit vonbis 1000kgkönnen Hersteller Hunderte von Komponenten in einem einzigen Durchgang stapeln.
Dieser „High-Volume-High-Pressure“-Ansatz reduziert den Energieverbrauch pro Einheit und senkt die Herstellungskosten erheblich.
3. Präzisionskontrolle am Erstarrungspunkt
Die Qualität von Cu/Diamant wird während der Kupfererstarrungsphase (~1085 °C) definiert. Eine ungleichmäßige Abkühlung in diesem Stadium führt zu Lunkern und zum Versagen von Bauteilen. Ruideer beschäftigt aMehrzonen-Temperaturkontrollsystem, wodurch eine außergewöhnliche Gleichmäßigkeit gewährleistet wird≤ ±5°Cüber die gesamte Länge der heißen Zone von 1200 mm.
Gleichmäßige Kristallisation über die gesamte Charge hinweg, wodurch die Ausbeute an hochwertigen Komponenten maximiert wird.
4. Effizienz durch schnelle Kühlung
Um den Anforderungen der industriellen Produktion gerecht zu werden, ist die Anlage mit einer ausgestattetHochdruck-Schnellkühlsystem. Es kann eine Volllast von 1450 °C auf sichere Handhabungstemperaturen kühlen8-10 Stunden.
Schnellere Umschlagszyklen ermöglichen einen zuverlässigen Produktionsplan „eine Charge pro Tag“.
Technische Daten im Überblick
| Besonderheit |
Spezifikation |
| Modell |
RDE-5512-10MPa |
| Effektive Hot Zone |
500 mm × 500 mm × 1200 mm |
| Max. Auslegungsdruck |
100 bar (10 MPa) |
| Max. Temperatur |
1550 °C(Vakuum- und Druckmodi) |
| Temp. Gleichmäßigkeit |
≤ ±5°C(Mehrzonensteuerung) |
| Vakuumniveau |
1 × 10⁻³ Pa /1 × 10⁻5 mbar |
| Tragfähigkeit |
1000kg(Max) |
Der Ruideer RDE-5512-10MPa ist mehr als nur ein Ofen; Es handelt sich um eine bewährte Plattform für die Skalierung von Thermomaterialien der nächsten Generation. Ob für Druckinfiltration oder Sinter-HIP-Prozesse: Ruideer bietet die robuste Technologie, die für den Wettbewerb auf den Halbleiter- und Verteidigungsmärkten erforderlich ist.
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