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Ein guter Preis. Hochenergieeffizienter Gasdrucksinterofen für einheitliche Temperaturatmosphäre und schnelle Kühlung Online Video

Hochenergieeffizienter Gasdrucksinterofen für einheitliche Temperaturatmosphäre und schnelle Kühlung

Abkühlzeit: ≤1h/4h/5h/6h/8h ((Leere Öfen,Kühlung durch Sintern Temperatur 1450-100°C) Wassertemperatur ≤26°C,Was

Größe: Individualisiert

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Voll sintern Sie automatisch HIP-Ofen-einzelne Kammer/horizontale/periodische Heizung

Name: Sinter-Hüften-Ofen

Druck waagerecht ausgerichtet:: 1MPa/6MPa/10MPa

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Energiesparender Sinter HIP-Ofen gab Gas erlaubtes AR/N2/ihn genehmigtes ISO9001 ein

Name: Sinter-Hüften-Ofen

Max.Temperature: 1600℃

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Kundengebundener Entwurfs-Sinter HIP-Ofen für das Hartmetall/Präzision keramisch

Name: Sinter-Hüften-Ofen

Ofengewicht: ≈20ton/≈24ton/≈34ton

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Vakuumdruck-Ofen der maximalen Temperatur-1600℃, Sinter HIP-Ofen-Wachs-Sammlungs-Rate 98%

Name: Vakuumdruckofen

Wachs-Sammlungsrate: 98%

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Schneller Abkühlgeschwindigkeits-Vakuumwärmebehandlungs-Ofen kleiner Besetzungs-Bereich

Name: Vakuumwärmebehandlungs-Ofen

Vorteile: entwerfen Sie die spezielle Anforderung des Produktkunden

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500kg Last 1MPa staubsaugen Sintern unter Druck gesetzten Ofen für Hartmetall

Kühlzeit: mindestens 6 Stunden

Druck: 1MPa

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Automatischer sinternder Ofen-Vakuumpartialdruck Lecksuche Debinding

Produkt-Name: Vakuum, das Debinding/das automatische Leck-Entdeckungs-Partialdruck-Sintern sintert

Gültiger Arbeitsraum: 500mm×500mm×1800mm (W*H*L)

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Kundengerechter Gasdruck-sinternder Ofen für harte Materialien der Metallcermets-P.M.

Farbe: weiß, grau, schwarz, blau

Anschlusswerte: 120 kVA, 150 kVA, 480 kVA

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Ein guter Preis. Hochtemperatur-Vakuum-Dampf-Ablagerungs-Ofen mit maximalem Temperaturbereich von 1100 °C Online Video

Hochtemperatur-Vakuum-Dampf-Ablagerungs-Ofen mit maximalem Temperaturbereich von 1100 °C

Reaktor: 2 Stück

Maximale Temperatur:: 1100℃

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CVD-Beschichtungsöfen aus Siliziumkarbid für Graphit-Suppositoren oder Ätzerringe

Verpackung Informationen: Holzgehäuse

Lieferzeit: 5 bis 6 Monate

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Ein guter Preis. 1500C CVD SIC Epitaxy-Wachstumsöfen für Siliziumkarbid-Wachstum in 1000*1000*1500mm Wirkungsraum Online Video

1500C CVD SIC Epitaxy-Wachstumsöfen für Siliziumkarbid-Wachstum in 1000*1000*1500mm Wirkungsraum

Wirkungsbereich ((mm): 1000*1000*1500

Heizleistung ((KVA): 300

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Anpassbarer CVD-Ofen mit TiC/TiN/TiCN/Al2O3-Beschichtung mit Prozesstemperatur 700-1050 °C

Prozesstemperatur (°C): 700 bis 1050

Beschichtungsarten: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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Chemische Dampfdeposition-Beschichtungsöfen für Zement-/Wolframkarbid-Schneidwerkzeug

Prozesstemperatur (°C): 700 bis 1050

Vorläufer und Prozessgase: Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1907/2006 aufgeführten Verfahren gelten nicht für die Verwen

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