HTCVD Silicon Carbide (CVD SIC) -Epitaxy-Wachstumsöfen Diese Ausrüstung wird für die Beschichtung mit Siliziumkarbid von Materialien auf Kohlenstoffbasis/Keramikbasis verwendet.vor allem Ablagerung ...Weitere Informationen
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HTCVD Siliziumkarbid CVD SIC Epitaxy-Wachstöfen mehrere Temperaturkontrollzonen