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Ein guter Preis. Individuell angepasste Cvd-Labor-Vakuumöfen Chemische Dampfdeposition Cvd-Beschichtungöfen Online Video

Individuell angepasste Cvd-Labor-Vakuumöfen Chemische Dampfdeposition Cvd-Beschichtungöfen

Prozesstemperatur (°C): 700 bis 1050

Beschichtungsarten: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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Ein guter Preis. Weiterentwickelte CVD/CVI-Dampfdeponieöfen für TiC-TiN-TiCN-a-AL2O3- und K-AI2O3-Beschichtung bei Prozesstemperaturen von 700-1050 °C Online Video

Weiterentwickelte CVD/CVI-Dampfdeponieöfen für TiC-TiN-TiCN-a-AL2O3- und K-AI2O3-Beschichtung bei Prozesstemperaturen von 700-1050 °C

Prozesstemperatur (°C): 700 bis 1050

Beschichtungsarten: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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Ein guter Preis. Chemische Dampfdeposition-Beschichtungsöfen mit TiCL4, AICL3-Vorläufern und Prozessgasen Online Video

Chemische Dampfdeposition-Beschichtungsöfen mit TiCL4, AICL3-Vorläufern und Prozessgasen

Prozesstemperatur (°C): 700 bis 1050

Vorläufer und Prozessgase: Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1907/2006 aufgeführten Verfahren gelten nicht für die Verwen

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Chinesische Fabrik ISO CE-Zertifikat Vakuumdruckloser Ofen mit maximaler Arbeitstemperatur 2500C Temperatur

Max.Betriebstemperatur: 2500℃

Temperaturgleichheit: ≤±5℃

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Ein guter Preis. 1500C CVD SIC Epitaxy-Wachstumsöfen für Siliziumkarbid-Wachstum in 1000*1000*1500mm Wirkungsraum Online Video

1500C CVD SIC Epitaxy-Wachstumsöfen für Siliziumkarbid-Wachstum in 1000*1000*1500mm Wirkungsraum

Wirkungsbereich ((mm): 1000*1000*1500

Heizleistung ((KVA): 300

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Ein guter Preis. Präzisions- 1800C-Siliziumkarbid-Reaktions-Sinterofen mit Temperatur-Einheitlichkeit ≤±5C Online Video

Präzisions- 1800C-Siliziumkarbid-Reaktions-Sinterofen mit Temperatur-Einheitlichkeit ≤±5C

Max.Betriebstemperatur: 1800℃

Temperaturgleichheit: ≤±5℃

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Unidirektionaler oder bidirektionaler Hochtemperatur- und Hochdruck-Sinterofen für die Materialverdichtung

Max. Arbeitstemperatur (℃): 2100

Temperaturgleichheit ((°C): ≤±5

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Ein guter Preis. Precision 1800C Silicon Carbide Reaction Sintering Furnace with ≤±5C Temperature Uniformity Online Video

Precision 1800C Silicon Carbide Reaction Sintering Furnace with ≤±5C Temperature Uniformity

Max.Betriebstemperatur: 1800 ℃

Temperatur Gleichmäßigkeit: ≤ ± 5 ℃

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Ein guter Preis. Hersteller von Hochtemperatur-Gasdrucksinteröfen für Siliziumcarbid/Nitrid Online Video

Hersteller von Hochtemperatur-Gasdrucksinteröfen für Siliziumcarbid/Nitrid

Verpackung Informationen: Holzgehäuse

Lieferzeit: 4 bis 5 Monate

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Hoher Automatisierungs-Silikon-Karbidofen, industrielle Vakuumofen-Heizkraft 320 KVA

Name: Hochvakuum-Ofen

Max.temperature: 1800℃

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5-20um Chemische Dampfdeposition Beschichtungsmaschine mit Beschichtungstemperatur 200-1050°C

Beschichtungsart: CVD

Beschichtungsdicke: 5-20 um

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Ein guter Preis. Multifunktionelle 1MPA Gasdruck-Periodische Heizung Vakuum Sinterofen China Hüftofen Hersteller Online Video

Multifunktionelle 1MPA Gasdruck-Periodische Heizung Vakuum Sinterofen China Hüftofen Hersteller

Nutzungsfähiger Raum: 300*300*1000mm; 400*400*1200mm; 500*500*1800mm

Heizzone: 2/3 Zonen

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AC380V-/50Hzvakuumkompressions-Ofen mit max. Ladegewicht 2000kg

Kammer-Größe: Besonders angefertigt

Produkt-Name: Gasdruck-sinternder Ofen

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3 Öfen der hohen Temperatur der Zonen-Temperaturüberwachungs-320KVA Vakuum

Struktur: einzelne Kammer, horizental Art

Maß: 400*400*1600

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Hohe Temperatur 320KVA staubsaugen sinternden Ofen für sic Karbid

Struktur: einzelne Kammer, horizental Art

Maß: 500mm*500mm*1800mm

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Ofen-niedriger Energieverbrauch der Einsparungs-Energie-hohen Temperatur Vakuumkleiner Besetzungs-Bereich

Name: Ofen der hohen Temperatur Vakuum

Vorteile: Einsparungsenergie und schützendes environment.ect

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